2017年，NAND芯片市場占有率達(dá)65.2%
2017年，NAND芯片市場占有率達(dá)65.2%
全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查，受惠智能手機(jī)、平板電腦與固態(tài)硬盤的強(qiáng)勁成長，2013年NAND Flash需求年增率高達(dá)46%，產(chǎn)值較2012年成長22%，來到246億美元。2014年在固態(tài)硬盤應(yīng)用逐漸滲透到企業(yè)端用戶帶動(dòng)下，預(yù)期NAND Flash需求可達(dá)36%成長，產(chǎn)值可突破270億美元。
制程轉(zhuǎn)進(jìn)腳步加快 生產(chǎn)商企圖心顯現(xiàn)
從制程轉(zhuǎn)進(jìn)的腳步來看，NAND Flash業(yè)者從去年第三季以來陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)1X奈米制程，同時(shí)20奈米等級的SSD、eMMC和eMCP等嵌入式產(chǎn)品也廣泛被應(yīng)用在各種移動(dòng)設(shè)備中，因此去年第四季20奈米與1X奈米出貨比重已突破90%，成為NAND Flash主流制程。隨著制程微縮在1X奈米以下將面臨物理限制的挑戰(zhàn)，各家NAND Flash業(yè)者紛紛加速開發(fā)3D-NAND Flash的技術(shù)來突破單位面積儲存容量的限制，而自從三星在去年八月份宣告將以3D-NAND Flash進(jìn)軍服務(wù)器等級固態(tài)硬盤以來，使得其他陣營更加速3D-NAND Flash的開發(fā)腳步。
觀察各家目前3D-NAND Flash開發(fā)進(jìn)度，三星電子從去年下半年開始生產(chǎn)”V-NAND”以來，憑借著自行開發(fā)的固態(tài)硬盤控制芯片，縮短整合控制芯片與NAND Flash芯片的時(shí)效，并且充分發(fā)揮3D-NAND Flash適合高容量產(chǎn)品的優(yōu)勢，透過以堆棧24層所組成的128Gb芯片，目標(biāo)直接揮軍服務(wù)器等級固態(tài)硬盤，并且在去年第四季開始已陸續(xù)送樣給服務(wù)器業(yè)者或是數(shù)據(jù)中心制造商進(jìn)行測試，因此三星電子目前在3D-NAND Flash應(yīng)用進(jìn)度領(lǐng)先其他業(yè)者，而三星的V-NAND制造基地將以韓國廠與新設(shè)立的中國西安廠為主。
而開發(fā)3D-NAND Flash技術(shù)”BiCS”的東芝與SANDISK陣營同樣也展現(xiàn)明顯的企圖心。該陣營的3D-NAND Flash產(chǎn)品將從今年第二季起開始小量試產(chǎn)，目標(biāo)在2015年前能夠順利銜接現(xiàn)有1Y與1Z奈米技術(shù)，而為了后續(xù)3D-NAND Flash的量產(chǎn)鋪路，東芝和SanDisk所共同投資位于日本三重縣四日市的第五號半導(dǎo)體制造廠第二期工程擴(kuò)建計(jì)劃也預(yù)計(jì)今年第三季完工，自今年第四季起可順利進(jìn)入規(guī)模化生產(chǎn)。
另一方面，SK海力士與美光、英特爾陣營也明確宣告各自3D-NAND Flash的藍(lán)圖將接棒16奈米，計(jì)劃將在今年第二季左右可送樣測試，最快將在第四季進(jìn)入量產(chǎn)。因此，雖然2014年多數(shù)廠商的3D-NAND Flash進(jìn)展多半停留在送樣階段，TrendForce預(yù)期2014年3D-NAND Flash產(chǎn)出比重僅有3%，然而3D-NAND Flash的開發(fā)速度確實(shí)有超乎預(yù)期的進(jìn)展，隨著廠商在2015年將開始量產(chǎn)3D-NAND的局勢來看，預(yù)期在經(jīng)過2014年的軍備競賽后，2015年3D-NAND Flash市占率將可提升至20%以上，隨著3D-NAND Flash的成熟，NAND Flash單位成本將呈等比級數(shù)下滑，屆時(shí)儲存容量性價(jià)比將可有效提升。
然而3D-NAND Flash的開發(fā)速度確實(shí)有超乎預(yù)期的進(jìn)展，隨著廠商在2015年將開始量產(chǎn)3D-NAND的局勢來看，預(yù)期在經(jīng)過2014年的軍備競賽后，2015年3D-NAND Flash市占率將可提升至20%以上，隨著3D-NAND Flash的成熟，NAND Flash單位成本將呈等比級數(shù)下滑，屆時(shí)儲存容量性價(jià)比將可有效提升。
NAND Flash芯片量產(chǎn)在即 市場占比將破6成
UBS的分析師認(rèn)為，2013年NAND Flash芯片成長44.8%、2014年則預(yù)期將成長42.8%，超乎原先內(nèi)存廠商的預(yù)期。另外，值得注意的是，3D NAND Flash芯片預(yù)計(jì)將于2014年開始啟動(dòng)量產(chǎn)。
就趨勢來看，平板電腦和智能手機(jī)持續(xù)需求更大容量及更便宜的內(nèi)容儲存，促使NAND Flash芯片制造商不斷改良他們的產(chǎn)品制造技術(shù)。過去，NAND Flash芯片制造商致力將產(chǎn)品微型化，現(xiàn)在則是利用3D技術(shù)將進(jìn)展重點(diǎn)從微型化轉(zhuǎn)移至增加密度。和傳統(tǒng)閃存相比，3D NAND Flash芯片的性能、穩(wěn)定度、耐久性都較為優(yōu)良，而且可以大幅降低成本，對消費(fèi)者而言是性價(jià)比極高的內(nèi)存解決方案。
TrendForce則認(rèn)為，3D NAND Flash芯片的產(chǎn)品雖然在2013年底開始有廠商陸續(xù)推出樣本，但3D NAND Flash芯片在生產(chǎn)良率的提升與效能的改善需要較長的時(shí)間，同時(shí)在應(yīng)用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗(yàn)證流程更是如此，因此3D NAND Flash芯片的量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)最快將落在2014年下半年，甚至是2015或2016年。
另根據(jù)IHS Flash Dynamics的研究，3D技術(shù)在NAND市場的占有率于2014年將躍升至5.2%，至2015年更會(huì)快速推進(jìn)至占閃存出貨量的30.2%。在2016年，3D NAND Flash芯片的市場占有率將擴(kuò)大至49.8%，直至2017年甚至將高達(dá)65.2%。
